9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7807ATRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7807ATRPBF参考价格为5.65美元。Infineon Technologies IRF7807ATRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO。您可以下载IRF7807ATRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7807APBF是MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC，包括管封装，它们设计用于540 mg单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作SOIC-8封装盒。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为6.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为12nC，沟道模式为增强。
IRF7807A是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC。IRF7807 A采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 8.3A-8-SOIC、N沟道30V 8.3V（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
IRF7807ATR是科信制造的MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC。IRF7807ATR采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC，N沟道30V 8.3B（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
