9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3704ZTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3704ZTRPBF参考价格$14.402。Infineon Technologies IRFR3704ZTRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK。您可以下载IRFR3704ZTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR3704ZPBF是MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC，包括管封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供48 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为8.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.9ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为9.3nC，正向跨导最小值为41S，沟道模式为增强。
IRFR3704ZTRLPBF是MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC，包括2.55 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作8.9ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为8.4mOhm，器件提供14nC Qg栅极电荷，器件具有48W Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为60A，正向跨导Min为41S，下降时间为12ns，配置为Single。
IRFR3704ZTR带有由IR制造的电路图。IRFR3704 ZTR可在SOT252封装中获得，是FET的一部分-单个。
