9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3708TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3708TRPBF价格参考4.922美元。Infineon Technologies IRFR3708TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK。您可以下载IRFR3708TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR3708PBF是MOSFET N-CH 30V 61A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供87 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.7 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为61 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.6V至2V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.6ns，典型接通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为24nC，正向跨导最小值为49S，并且信道模式是增强。
IRFR3708TRLPBF是MOSFET MOSFT 30V 61A 12.5mOhm 24nC，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件还可以用作漏极-源极电阻上的14mOhms Rds。此外，Qg栅极电荷为24 nC，该器件提供87 W Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为61 a。
IRFR3708是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 61A DPAK。IRFR3707可提供TO-252-3、DPAK（2引线+TAB）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 61A-DPAK、N沟道30V 61A（Tc）87W（Tc）表面安装D-Pak。
