9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFS23N20DTRLP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS23N20DTRLP参考价格为9.684美元。Infineon Technologies IRFS23N20DTRLP封装/规格：MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK。您可以下载IRFS23N20DTRLP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFS23N20DTRLP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFS23N20DPBF是MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100欧姆57nC，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为24 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为57nC，沟道模式为增强。
IRFS23N15DTRPBF带有由IR制造的用户指南。IRFS23N25DTRPBB采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IRFS23N20D是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK。IRFS23N2 0D可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 24B D2PAK，N沟道200V 24C（Ta）3.8W（Ta），170W（Tc）表面安装D2PAK。
