Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRL3713STRLPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 260A（Tc） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥8.67699
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.68
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 D2PAK
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 部件状态 过时的
- 最大功耗 330W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 260A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 38A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5890 pF @ 15 V
IRL3713STRLPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌
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IRL3713STRLPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRL3713STRLPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRL3713STRLPBF价格参考￥8.676994，你可以下载 IRL3713STRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRL3713STRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
