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IRLL2703PBF是MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223，包括管封装，它们设计为以0.006632盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-223-4等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为70m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.9ns，典型接通延迟时间为7.4ns，Qg栅极电荷为9.3nC，正向跨导最小值为5.9S，并且信道模式是增强。
IRLL2703是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223。IRLL2702可提供TO-261-4、TO-261AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 3.9B SOT223、N沟道30V 3.9C（Ta）1W（Ta）表面安装SOT-223。
IRLL2703TR是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223。IRLL2703TR可在TO-261-4、TO-261AA封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 3.9B SOT223、N沟道30V 3.9C（Ta）1W（Ta）表面安装SOT-223。
