9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP223NE7N3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP223NE7N3G参考价格$21.134。Infineon Technologies IPP223NE7N3G封装/规格：MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3。您可以下载IPP223NE7N3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPP223N10N5带有引脚细节，包括XPP023N10系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP223N20N5AKSA1 SP001120504，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3包装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为33ns，Qg栅极电荷为168nC，正向跨导Min为248S，并且信道模式是增强。
IPP223N10N5AKSA1，带用户指南，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有26 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为2.8 mOhms，Qg栅极电荷为168 nC，Pd功耗为375 W，部件别名为IPP223N10N5 SP001120504，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，正向跨导最小值为124 S，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP2023NE7N3 G是MOSFET N-CH 75V 120A TO220，包括单一配置，它们设计为在120 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在通孔中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，包装为Tube，该器件以IPP223NE7N3GXK IPP223NE 7N3GXKSA1 SP000641722零件别名提供，该器件具有300W的Pd功耗，漏极电阻Rds为2.3mOhm，系列为OptiMOS 3，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPP223NE7N3，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP223NE7N3采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
