9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1400DL-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1400DL-T1-GE3参考价格为12.214美元。Vishay Siliconix SI1400DL-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6。您可以下载SI1400DL-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1400DL-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6，包括卷轴封装，它们设计用于SI1400DL-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-363-6封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为568mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为5S，沟道模式为增强。
Si1400DL-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为150 mOhms，该器件提供568 mW Pd功耗，该器件有一卷封装，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为1.6A，并且配置为单一。
Si1400DL是Vishay Siliconix制造的MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6。Si1400DL在SC-70-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6。
SI1400DL-T1，带有KEXIN制造的EDA/CAD模型。SI1400DL-T1在SOT363封装中提供，是FET的一部分-单个。
