SI1403CDL-T1-GE3

规格参数

• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
• 供应商设备包装 SC-70-6
• 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2.1A（Tc）
• 部件状态 过时的
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 281 pF@10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 140毫欧姆 @ 1.6A, 4.5V
• 最大功耗 600mW (Ta), 900mW (Tc)