9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1422DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1422DH-T1-GE3参考价格为28.82美元。Vishay Siliconix SI1422DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6。您可以下载SI1422DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1417EDH-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6，包括卷筒包装，它们设计用于SI1417ED H-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-363-6封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1400 ns，上升时间为1400纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为2.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-电源电阻为160mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为4900ns，典型接通延迟时间为600ns，沟道模式为增强。
SI1417EDH-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6引脚SC-70 T/R。SI1417EDH-T1在SOT363封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6引脚SC-70 T/R。
SI1419DH-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6。SI1419DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6、P沟道200V 300mA（Ta）1W（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）、Trans MOSFET P-CH200V 0.36引脚SC-70T/R。
