9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1473DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1473DH-T1-GE3参考价格为11.116美元。Vishay Siliconix SI1473DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6。您可以下载SI1473DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1471DH-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI1471DH-E3中使用的零件别名，该SI1471DH-13提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.78W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为445pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.7A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为100mOhm@2A、10V，Vgs最大Id为1.6V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9.8nC@4.5V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为17 ns 9 ns，上升时间为48 ns 20 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为2.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为175 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是23ns 20ns，并且典型接通延迟时间是22ns 4ns，并且沟道模式是增强。
SI1473DH-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns 4 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns 15 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为60 ns 10 ns，器件漏极-源极电阻为100 mOhms，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI1473DH-E3，包装为卷筒，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.8 A，下降时间为15 ns 6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI1471DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6，包括单一配置，它们设计为在2.8 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作SOT-363-6包装箱。此外，包装为Reel，器件提供1.5 W Pd功耗，器件具有175 mOhms的Rds漏极-源极电阻，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P通道，晶体管类型为1 P通道，单位重量为0.000265盎司，Vds漏极源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为12V。
