9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2327DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2327DS-T1-GE3参考价格$2.426。Vishay Siliconix SI2327DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3。您可以下载SI2327DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI2327DS-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI2325DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2325DS-ME3的零件别名，该SI2325DS GE3提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为510pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为530mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为1.2 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为750 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为530 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-150 V，Rds漏极源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强型。
SI2325DS-T1-E3是MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3，包括4.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-150 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备为TrenchFETR系列，该设备具有1.2欧姆@500mA，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为1.2欧姆，最大功率为750mW，Pd功耗为750 mW，零件别名为SI2325DS-E3，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为510pF@25V，Id连续漏极电流为530 mA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id 25°C为530 mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
SI2327DS-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3。SI2327DS-T1-E3以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3、P沟道200V 380mA（Ta）750mW（Ta）表面安装SOT-23-2（TO-236）、Trans MOSFET P-CH200V 0.38 3-Pin SOT-23 T/R。
