9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3805DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3805DV-T1-GE3参考价格为1.728美元。Vishay Siliconix SI3805DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP。您可以下载SI3805DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3805DV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3805DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为84mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为18ms，沟道模式为增强。
SI3803DV T1 03，带有VISHAY制造的用户指南。SI3803DV T1 03采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
SI3803DV-T1，电路图由SILICONIX制造。SI3803DV-T1采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
