9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4190DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4190DY-T1-GE3参考价格$4.634。Vishay Siliconix SI4190DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC。您可以下载SI4190DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4190ADY-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4190ADY-GE3的零件别名，该SI4190ADY-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1970pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为18.4A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.8 mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为67nC@10V，Pd功耗为6 W，Vgs栅极-源极电压为2.8 V，Id连续漏极电流为18.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，漏极-源极电阻Rds为8.8mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为20.7nC。
SI4188DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4188DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI418DY，带有SI制造的电路图。SI418DY在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
