9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW35N60M2-EP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW35N60M2-EP参考价格$1.98。STMicroelectronics STW35N60M2-EP封装/规格：MOSFET N-CH 600V TO247。您可以下载STW35N60M2-EP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW34NM60N是MOSFET N-CH 600V 29A TO-247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为73 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为31.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为104ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为84nC。
STW34NM60ND是MOSFET N-CH 600V 29A TO-247，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N通道MDmesh系列。此外，Rds漏极源极电阻为110毫欧，该器件具有190 W Pd功耗，该器件有一个封装管，封装盒为TO-247-3，通道数为1个通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，并且Id连续漏极电流为29A，并且配置为单。
STW34N65M5是MOSFET N-CH 650V 28A TO-247，包括18.3 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于TO-247-3，提供管、Pd功耗设计用于190 W，以及110 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作MDmesh M5系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
STW34NB20是由ST制造的MOSFET N-CH 200V 34A TO-247。STW34N220以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH200V 34A-TO-247、N沟道200V34A（Tc）180W（Tc）通孔TO-247-3、Trans MOSFET N-CH200V34A 3引脚（3+Tab）TO-247管。
