9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4472DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4472DY-T1-GE3参考价格为8.464美元。Vishay Siliconix SI4472DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 7.7A 8SO。您可以下载SI4472DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4472DY-T1-E3是MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4472DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6 ns 7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns 20ns，典型接通延迟时间为14ns 16ns，沟道模式为增强型。
SI4470EY-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SI4470EY-T1采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4470EY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC。SI4470EY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC，N沟道60V 9A（Ta）1.85W（Ta）表面安装8-SO。
SI4470EY-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC。SI4470EY-T1-GE3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC，N沟道60V 9A（Ta）1.85W（Ta）表面安装8-SO。
