9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4620DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4620DY-T1-GE3参考价格$2.85。Vishay Siliconix SI4620DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO。您可以下载SI4620DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4618DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4618DY GE3的零件别名，该SI4618DY-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为1.98W、4.16W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1535pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8A、15.2A，最大Rds Id Vgs为17mOhm@8A、10V，Vgs th最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为44nC@10V，Pd功耗为2.35W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为8 A 15.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为17 mOhms 10 mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为29nC 39nC，正向跨导Min为40S 47S。
SI4620DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为36 ns，器件的漏极-源极电阻为35 mOhms，Pd功耗为2 W，零件别名为SI4620DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6A，下降时间为17ns，配置为单肖特基二极管，通道模式为增强型。
SI4620DY，带有SI制造的电路图。SI4620D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
SI4620DY-T1-E3，采用VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4620DY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
