9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4654DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4654DY-T1-GE3参考价格为10.888美元。Vishay Siliconix SI4654DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 28.6A 8SO。您可以下载SI4654DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4652DY-T1-E3是MOSFET 25V 30A 6.0W，包括卷轴封装，它们设计为与SI4652DY-E3零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在SOIC窄8以及Si技术中工作，该器件也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为21.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds漏极导通-源极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为32ns，沟道模式为增强型。
SI4654DY-T1-E3是MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在10 ns上升时间内提供，器件具有4 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4654DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为18.6 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4652DY-T1-GE3是MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm@10V，包括单一配置，它们设计为在21.5 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以用作SOIC窄8封装盒。此外，包装为卷筒，该器件以SI4652DY-GE3零件别名提供，该器件具有3 W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为3.5 mOhms，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.006596 oz，Vds漏极源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极电压为16V。
SI4654DY-T1-E3-S，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4654DY-T1-E3-S采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
