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SI4829DY-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4829DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为215mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
SI4828DY，带有VISHAY制造的用户指南。SI4828DY采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
Si4828DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。Si4828DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
