9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD8445-F085P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD8445-F085P参考价格为1.37美元。onsemi FDD8445-F085P封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A TO252。您可以下载FDD8445-F085P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD8445是MOSFET N-CH 40V 70A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为79W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为4050pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为70A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.7 mOhm@50A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为59nC@10V，Pd功耗为79 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.6 ns，上升时间为82ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型导通延迟时间为10ns，沟道模式为增强型。
带有用户指南的FDD8444L_F085，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为46 ns，器件的漏极-源极电阻为5.2欧姆，Pd功耗为153 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为16 A，下降时间为19.2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD8444L是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 40V 50A DPAK。FDD8444L采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 50A DPak、N沟道40V 16A（Ta）、50A（Tc）153W（Tc）表面安装TO-252AA。
