9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD03N40Z-1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD03N40Z-1G参考价格为0.25000美元。onsemi NDD03N40Z-1G封装/规格：MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK。您可以下载NDD03N40Z-1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NDD02N60Z-1G是MOSFET N-CH 600V IPAK，包括管封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供57 W Pd功耗，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds漏极-源极电阻为4欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为10.1nC，正向跨导最小值为1.7S。
NDD03N40Z-1G带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于管包装。
NDD03N40ZT4G带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
NDD02N60ZT4G是ON公司制造的MOSFET N-CH 600V DPAK。NDD02N60 ZT4G可提供TO-252-3 DPAK（2引线+接线片）SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V DPAK，N通道600V 2.2A（Tc）57W（Tc）表面安装DPAK。
