9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD60N550U1-35G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD60N550U1-35G参考价格为0.79000美元。onsemi NDD60N550U1-35G封装/规格：MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK。您可以下载NDD60N550U1-35G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NDD05N50ZT4G是MOSFET N-CH 500V 5A DPAK，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及83 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为14 ns，器件的上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为3 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为28nC，正向跨导Min为3.5S。
带有用户指南的NDD60N360U1-1G，包括600 V Vds漏极源击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si、Rds等技术特性，漏极源电阻设计为在360毫欧姆下工作，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备提供11 A Id连续漏电流。
NDD60N360U1-35G带有电路图，包括11 A Id连续漏极电流，它们设计为采用通孔安装方式运行，数据表注释中显示了用于IPAK-3的封装盒，该IPAK-3提供管、Rds漏极电阻等封装特性，设计为工作在360 mOhms，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，单位重量为0.13932盎司，该器件提供600 V Vds漏极-源极击穿电压。
NDD60N360U1T4G，带EDA/CAD型号，包括TO-252-3封装盒，设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，晶体管极性设计用于N沟道，以及600 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件也可以用作360mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Id连续漏电流为11 A，该设备的单位重量为0.13932盎司。
