9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS8449-F085P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS8449-F085P参考价格$6.842。onsemi FDS8449-F085P封装/规格：MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC。您可以下载FDS8449-F085P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS8449是MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有8-SO的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为760pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为29mOhm@7.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极电阻为21欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23 ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为21S，信道模式为增强。
FDS8447是MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为14 ns，器件的漏极-源极电阻为10.5欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为12.8 A，正向跨导最小值为75.3 S，下降时间为7 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
FDS8447-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS8447-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
