NDPL180N10BG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Ta） 最大功耗: 2.1W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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- 单价: ¥11.73350
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数量:
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 95 nC @ 10 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏、15伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 180A（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6950 pF @ 50 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 15V, 50A
- 最大功耗 2.1W (Ta), 200W (Tc)
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NDPL180N10BG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDPL180N10BG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDPL180N10BG价格参考￥11.733498，你可以下载 NDPL180N10BG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDPL180N10BG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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