9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFHM7194TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFHM7194TRPBF参考价格为5.77美元。Infineon Technologies IRFHM7194TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8QFN。您可以下载IRFHM7194TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFHM4226TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在FastIRFet的数据表注释中，该FastIRFet提供封装盒功能，如PQFN-8，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为28 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为32nC，正向跨导最小值为136S。
IRFHM4234TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25V，提供典型的开启延迟时间特性，如7.8ns，典型的关闭延迟时间设计为在8ns内工作，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为FastIRFet，该器件采用Si技术，器件的上升时间为30纳秒，漏极-源极电阻Rds为5.6毫欧，Qg栅极电荷为17 nC，Pd功耗为2.8 W，包装为卷轴式，包装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为20 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为5.3 ns，配置为单四漏三源。
IRFHM4231TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括单一配置，它们设计为在5.9 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于120 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流特性，例如40 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件在PQFN-8封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为29W，Qg栅极电荷为20nC，Rds漏极-源极电阻为3.4mOhm，上升时间为28ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8.7ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.6V。
