9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8445DB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8445DB-T2-E1价格参考2.918美元。Vishay Siliconix SI8445DB-T2-E1封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT。您可以下载SI8445DB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8445BB-D-IS1是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括汽车、AEC-Q100系列，它们设计用于数字隔离器产品，类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供管交替包装等包装功能，单位重量设计为188160 mg，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）包装箱。此外，该技术为电容耦合技术，其工作温度范围为-40°C~125°C，器件有4个通道，电压供应为2.7V~5.5V，供应商器件封装为16-SOIC，数据速率为150Mbps，通道类型为单向，电压隔离为2500Vrms，升降时间类型为3.8ns、2.8ns，隔离功率为否，输入侧1侧2为2000/4/1 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns、9.5ns，脉宽失真最大值为2.5ns，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，极性为单向，隔离类型为电容耦合，工作电源电流为6mA，隔离电压为2.5kVrms，电源电压最大值为5.5V，电源电压最小值为2.7V，传播延迟时间为6ns。
SI8445BB-D-IS1R是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括2.7 V~5.5 V电压源，它们设计用于2500Vrms电压隔离，单位重量如数据表注释所示，用于0.006637 oz，具有通用型、技术设计用于电容耦合以及2.7 V最小电源电压，该设备也可以用作5.5 V电源电压最大值。此外，供应商设备包为16-SOIC，该设备提供汽车AEC-Q100系列，该设备具有3.8ns、2.8ns的上升-下降时间类型，脉冲宽度失真最大值为2.5ns，传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns、9.5ns，产品为数字隔离器，并且包装是胶带和卷筒（TR）交替包装，封装外壳为16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-40°C~125°C，通道数为4，隔离类型为电容耦合，隔离功率为否，输入侧1侧2为2000/4/1 0:00:00，数据速率为150Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），通道类型为单向。
SI8445BB-D-ISR是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括单向信道类型，它们设计用于25kV/μs（典型）共模瞬态抗扰度最小值，数据速率如数据表注释所示，用于150Mbps，提供输入侧1侧2功能，如2000/4/1 0:00:00，除了电容耦合隔离型之外，该器件还可以用作4个通道，其工作温度范围为-40°C~125°C，该设备采用16-SOIC（0.295英寸，7.50mm宽）包装箱，该设备具有磁带和卷轴（TR）包装和产品的替代包装为数字隔离器，传播延迟tpLH tpHL Max为9.5ns、9.5ns，脉宽失真Max为2.5ns，上升-下降时间Typ为3.8ns、2.8ns，系列为汽车、AEC-Q100，供应商设备包装为16-SOIC，技术为电容耦合，类型为通用型，电压隔离为2500Vrms，电源电压为2.7V~5.5V。
SI8445-B-IS是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括单向信道型，它们设计为与管封装一起工作，隔离功率如数据表注释所示，用于No，提供通用型、技术设计用于电容耦合以及7.5ns最大脉冲宽度失真，其工作温度范围为-40°C~125°C。此外，信道数为4，该设备提供35ns，35ns传播延迟tpLH tpHL Max，该设备具有2ns，2ns的上升-下降时间Typ，共模瞬态抗扰度Min为25kV/μs，电压隔离为2500Vrms，输入侧1侧2为2000/4/1 0:00:00，电压供应为2.375 V~5.5 V，封装外壳为16-SOIC（0.295“，7.50mm宽），供应商设备封装为16-SOC，数据速率为10Mbps。
