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辐射硬化功率MOSFET通孔（TO 254AA）
国际整流器公司的RAD Hard TM HEXFET®技术为空间应用提供了高性能功率MOSFET。这项技术在卫星应用中已被证明具有超过十年的性能和可靠性。这些装置的特征在于总剂量和单事件效应（SEE）。低Rdson和低栅极电荷的组合减少了开关应用（如DC-DC转换器和电机控制）中的功率损耗。这些器件保留了MOSFET的所有既定优点，如电压控制、快速切换、易于并联和电气参数的温度稳定性。
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■ 单事件效应（SEE）硬化
■ 低RDS（打开）
■ 低总门电荷
■ 简单的驱动器要求
■ 易于并行化
■ 密封
■ 陶瓷孔眼
■ 轻质
■ ESD等级：根据MIL-STD-750，方法1020，3A级
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| JAN2N2222A | 霍尼韦尔 (Honeywell) | AERO SENSOR COMPONENT | ¥360.61229 |
| JANTXV1N6461 | 先科电子 (Semtech) | T DAP UNI 500W 5V | ¥163.30943 |
| JANTXV1N6462 | 先科电子 (Semtech) | T DAP UNI 500W 6V | ¥163.30943 |
| JANTXV1N6466 | 先科电子 (Semtech) | T DAP UNI 500W 30.5V HR | ¥163.30943 |
| JANTXV1N6468 | 先科电子 (Semtech) | T DAP UNI 500W 56V | ¥163.30943 |
| JANTX1N6147A | 先科电子 (Semtech) | T DAP BI 1500W | ¥165.51475 |
| JANTXV1N6461US | 先科电子 (Semtech) | T DAP UNI 500W 5V SM | ¥169.61076 |
| JANTXV1N6462US | 先科电子 (Semtech) | T DAP UNI 500W 6V SM | ¥169.61076 |
| JANTXV1N6123AUS | 先科电子 (Semtech) | T DAP BI 500W 51V SM | ¥182.2134 |
| JANTXV1N6139A | 先科电子 (Semtech) | T DAP BI 1500W 5.7V HRV | ¥206.78827 |