9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7190TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7190TRPBF参考价格为0.814美元。Infineon Technologies IRFH7190TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 15A/82A PQFN。您可以下载IRFH7190TRBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH7185TRPBF具有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为3.9ns，上升时间为9.9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为19A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3.6V，Rds漏极-源极电阻为5.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为36nC，正向跨导Min为280S。
IRFH7188TRPBF带有用户指南，包括3.6V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100V，提供典型的开启延迟时间功能，如4.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为4.5 ns，器件的漏极-源极电阻为6 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为33 nC，Pd功耗为132 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为105 A，正向跨导最小值为109 S，下降时间为3.4 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFH7187TRPBF，带有由IR制造的电路图。IRFH7187 TRPBF以DFN5X6封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET MOSFET、N沟道100V 18A（Ta）、105A（Tc）3.8W（Ta）和132W（Tc）表面安装8-PQFN（5x6）、Trans MOSFET N-CH T/R、MOSFET MOSFETMOSFET、100V、100A、6.0 mOhm、31 nC Qg、PQFN 5x6”。
