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国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势，再加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计者提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种
应用。
● 逻辑电平门驱动
● 先进工艺技术
● 表面安装（IRLZ24NS）
● 薄型通孔（IRLZ24NL）
● 175°C工作温度
● 快速切换
● 完全雪崩等级
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AUI15-4671 | 联合元件国际公司 (Allied) | UI15 SMD CCFL TRANSFORMER | ¥63.37538 |
 | AUI15-4677 | 联合元件国际公司 (Allied) | 240uH, UI15 Core SMD Transformer | ¥47.07885 |
 | AUIR3242SDEMOBOARDTOBO1 | 英飞凌 (Infineon) | 采用的IC/零件: auir3242 种类: 电源管理 功能: 配电开关（负荷开关） | ¥3,637.60167 |
 | AUIRF4905S | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.80554 |
 | AUIRFR024N | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | AUIRFS4310Z | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.13766 |
| AUIRFU8403-701TRL | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.26947 |
| AUIRFB8405-071 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 163W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.2878 |
| AUIRG4BC30S-S | AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC | ¥11.0728 | |
 | AUIRGP35B60PD-E | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 308 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.20049 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
