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DMP2006UFG-13

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Ta),40A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥13.64562
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.65
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 200 nC@10 V
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7500 pF @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17.5A(Ta),40A(Tc)
  • 最大功耗 2.3W(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.5毫欧姆 @ 15A, 4.5V

DMP2006UFG-13 产品详情

MP2007DH-LF-Z 2007集成了DDR存储器终端调节器和输出电压(VTT),缓冲VTTREF输出是VREF的一半。VTT-LDO是3A汇/源跟踪终端调节器。它专门为低成本/低外部部件数量的系统而设计,在这些系统中,空间是一种优势。MP2007DH-LF-Z 2007只需要20uF(2x10uF)的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应。MP2007DH-LF-Z 2007支持Kelvin传感功能。MP2007DH-LF-Z 2007可用于带有外露PAD的8引脚MSOP包装,规定温度为−40℃至85℃。

特色

  • VDDQ电压范围:1.3V至6.0V
  • 高达3A集成汇/源线性稳压器,具有精确的VREF/2分频器参考,用于DDR终端
  • 仅需要20uF陶瓷输出电容
  • 驱动电压范围:4.5 V至5.5 V
  • 1.3V输入(VDDQ)有助于降低总功耗
  • VTT和VTTREF的集成分频器磁道VREF
  • 开尔文传感(VTTSEN)
  • VTT和VTTREF的±20mV精度
  • 内置软启动、UVLO和OCL
  • 热关机


DMP2006UFG-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMP2006UFG-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP2006UFG-13价格参考¥13.645624,你可以下载 DMP2006UFG-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP2006UFG-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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