9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR802DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR802DP-T1-GE3参考价格为0.684美元。Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8。您可以下载SIR802DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR800DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR800DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V，Id连续漏极电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.6V至1.5V，Rds漏极源极导通电阻为1.9mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为89nC，正向跨导Min为96S。
SiR774DP-T1-GE3是MOSFET 30伏特40安培62.5瓦，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIRxxxDP系列，该器件具有10 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为2.1 mOhms，Qg栅极电荷为58 nC，Pd功耗为62.5W，零件别名为SIR774DP-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为40A，正向跨导Min为95s，下降时间为10ns，配置为单肖特基二极管。
SiR802DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR802DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
