9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-CPV364M4KPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-CPV364M4KPBF参考价格为791.8156美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-CPV364M4KPBF封装/规格：IGBT模块600V 24A 63W IMS-2。您可以下载VS-CPV364M4KPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-CPV364M4FPbF是MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP，包括散装封装，它们设计用于CPV364M4FPbF零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.705479盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于19-SIP（13引线）、IMS-2以及通孔安装类型，该设备也可以用作IMS-2供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以十六进制配置提供，该设备最大功率为63W，集电器Ic最大值为27A，集电器-发射器击穿最大值为600V，集电器截止最大值为250μa，最大Vge Ic上的Vce为1.5V@15V，15A，输入电容Cies Vce为2.2nF@30V，NTC热敏电阻为否，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，25℃时的连续集电极电流为27 A，最大栅极-发射极电流为+/-20 V。
VS-CPV363M4UPBF是MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、6.8A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.705479盎司，提供供应商设备包功能，如IMS-2，功率最大值设计为36W，以及CPV363M4UPBF零件别名，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为19-SIP（13引线），IMS-2，该器件提供无NTC热敏电阻，该器件具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为20 V，输入电容Cies Vce为1.1nF@30V，输入为标准，集电极Ic最大值为13A，集电极截止最大值为250μA，连续集电极电流Ic最大为13 A，配置为十六进制，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V。
VS-CPV363M4KPBF是MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于十六进制配置，数据表说明中显示了用于11 a的连续集电极电流Ic Max，其提供了250μa等集电极截止最大功能，集电极Ic Max设计用于11A，以及标准输入，该器件也可以用作0.74nF@30V输入电容Cies Vce。此外，最大栅极-发射极电压为20 V，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，NTC热敏电阻为否，封装外壳为19-SIP（13引线），IMS-2，封装为散装，零件别名为CPV363M4KPBF，最大功率为36W，供应商设备包为IMS-2，单位重量为0.705479盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，6A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
