久芯网

MG12100S-BN2MM

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 450瓦 供应商设备包装: S3
  • 品牌: 力特 (Littelfuse)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 1
  • 单价: ¥585.80575
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥585.81
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • 参数配置 半桥
  • 最大集电极电流 (Ic) 140 A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 7.1 nF @ 25 V
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 力特 (Littelfuse)
  • 包装/外壳 S-3模块
  • 供应商设备包装 S3
  • 最大功率 450瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.7V @ 15V, 100A (Typ)

MG12100S-BN2MM 产品详情

马赫XO3™ 设备系列是超低密度系列,支持最先进的可编程桥接和IO扩展。它具有突破性的IO密度和最低的每IO成本。设备IO功能集成支持最新的行业标准IO。MachXO3L/LF系列低功耗、即插即用、非易失性PLD有五个设备,其密度范围从640到9400查找表(LUT)。除了基于LUT的低成本可编程逻辑之外,这些设备还具有嵌入式块RAM(EBR)、分布式RAM、锁相环(PLL)、预设计源同步I/O支持、高级配置支持(包括双引导功能)以及常用功能的加固版本,如SPI控制器、I2C控制器和定时器/计数器。MachXO3LF设备还支持用户闪存(UFM)。这些特性使这些设备可以用于低成本、大容量的消费和系统应用。MachXO3L/LF设备是基于65nm非易失性低功耗工艺设计的。该设备架构具有几个特点,例如可编程低摆幅差分I/O和动态关闭I/O组、片上PLL和振荡器的能力。这些功能有助于管理静态和动态功耗,从而降低家庭所有成员的静态功耗。MachXO3L/LF设备有两种版本C和E,两种速度等级:-5和-6,-6是最快的。C设备具有内部线性电压调节器,其支持3.3V或2.5V的外部VCC电源电压。E设备仅接受1.2V作为外部VCC供电电压。除了电源电压外,C和E在功能上相互兼容。MachXO3L/LF PLD可用于各种先进的无卤封装,从节省空间的2.5 x 2.5 mm WLCSP到19 x 19 mm caBGA。MachXO3L/LF设备支持同一封装内的密度迁移。表1-1显示了LUT密度、封装和I/O选项以及其他关键参数。MachXO3L/LF器件提供了增强的I/O功能,如驱动强度控制、转换速率控制、PCI兼容性、总线保持器锁存器、上拉电阻器、下拉电阻器、开漏输出和热插拔。上拉、下拉和总线保持器功能可在“每引脚”基础上进行控制。MachXO3L/LF设备中包含用户可编程内部振荡器。该振荡器的时钟输出可由定时器/计数器分割,用作LED控制、键盘扫描仪和类似状态机等功能的时钟输入。MachXO3L/LF设备还提供了灵活、可靠和安全的片上NVCM/Flash配置。这些设备还可以从外部SPI闪存配置自己,或者由外部主机通过JTAG测试访问端口或通过I2C端口配置,MachXO3L/LF设备支持双引导功能(使用外部闪存)和远程现场升级(TransFR)功能。莱迪思提供了多种设计工具,允许使用MachXO3L/L系列设备高效地实现复杂的设计。流行的逻辑合成工具为MachXO3L/LF提供合成库支持。莱迪思设计工具使用合成工具输出以及用户指定的偏好和约束,在MachXO3L/LF设备中放置和布线设计。这些工具从路由中提取定时,并将其反注释到设计中以进行定时验证。Lattice提供了许多预设计的IP(知识产权)LatticeCORE™ 模块,包括许多免费许可的参考设计,针对MachXO3L/LF PLD系列进行了优化。通过使用这些可配置的软核IP核作为标准化块,用户可以自由地专注于其设计的独特方面,从而提高生产力。9icnet Electronics是莱迪思半导体授权经销商。

特色

1.1.1.解决方案

 用于移动应用的占地面积最小、功耗最低、数据吞吐量高的桥接解决方案

 为IO管理和逻辑应用程序优化了占地面积、逻辑密度、IO计数和IO性能设备

 高IO/逻辑、最低成本/IO、用于IO扩展应用的高IO设备

1.1.2.灵活的架构

 逻辑密度范围从64到9.4K LUT4

 高IO与LUT比率,最多384个IO引脚

1.1.3.高级包装

 0.4 mm间距:在占地面积非常小的WLCSP(2.5 mm×2.5 mm至3.8 mm×3.8 mm)中的1K至4K密度,具有28至63个IO

 0.5mm间距:640至9.4K LUT密度,6 mm x 6 mm至10 mm x 10 mm BGA封装,最多281个IO

 0.8mm间距:1K至9.4K密度,BGA封装中最多384个IO

1.1.4.预设计源同步I/O

 I/O单元中的DDR寄存器

 专用传动逻辑

 7:1显示器I/O的齿轮传动

 通用DDR、DDRx2、DDRx4

1.1.5.高性能、灵活的I/O缓冲区

 可编程系统IO™ 缓冲区支持多种接口:

 LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2

 LVTTL公司

 LVDS、总线LVDS、MLVDS、LVPECL

 MIPI D-PHY仿真

 施密特触发器输入,高达0.5 V滞后

 IO桥接应用的理想选择

 I/O支持热插拔

 片上差分终端

 可编程上拉或下拉模式

1.1.6.灵活的片上时钟

 八个主时钟

 高达两个边缘时钟用于高速I/O接口(仅顶部和底部)

 每个设备最多两个模拟PLL,具有分数n频率合成

 宽输入频率范围(7 MHz至400 MHz)。

1.1.7.非易失性,可多次编程

 立即打开

 以微秒为单位通电

 带外部SPI存储器的可选双引导

 单片安全解决方案

 可通过JTAG、SPI或I2C编程

 MachXO3L包括多时间可编程NVCM

 MachXO3LF可重构闪存包括100000个写入/擦除周期

 支持非易失性存储器的后台编程

1.1.8.TransFR重新配置

 IO保持系统状态时的现场逻辑更新

1.1.9.增强的系统级支持

 芯片强化功能:SPI、I2C、定时器/计数器

 精度为5.5%的片上振荡器

 用于系统跟踪的唯一TraceID

 扩展工作范围的单电源

 IEEE标准1149.1边界扫描

 系统编程符合IEEE 1532

应用

 消费电子产品

 计算和存储

 无线通信

 工业控制系统

 汽车系统


MG12100S-BN2MM所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,MG12100S-BN2MM 由 力特 (Littelfuse) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MG12100S-BN2MM价格参考¥585.805752,你可以下载 MG12100S-BN2MM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MG12100S-BN2MM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

力特 (Littelfuse)

力特 (Littelfuse)

从消费电子产品到汽车和工业设施,Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部