GSID150A120S3B1
- 描述:参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 940瓦 供应商设备包装: D3
- 品牌: 赛米奇公司 (SemiQ)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 8
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 8+ | 614.27940 | 4914.23522 |
- 库存: 0
- 单价: ¥614.27940
-
数量:
- +
- 总计: ¥4,914.24
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 参数配置 2独立
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- NTC热敏电阻 No
- 安装类别 机箱安装
- 集电极最大截止电流 1毫安
- IGBT型 -
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
- 输入电容 (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
- 最大集电极电流 (Ic) 300 A
- 最大功率 940瓦
- 包装/外壳 D-3模块
- 供应商设备包装 D3
- 制造厂商 赛米奇公司 (SemiQ)
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 150A
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | GSIB2580N-M3/45 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 25 A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.60946 |
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 | GSIB680-E3/45 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 2.8 A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.61425 |
 | GSIB1540-E3/45 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 400伏 整流平均值 (Io): 3.5 A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.80461 |
 | GSIB1520-E3/45 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 200伏 整流平均值 (Io): 3.5 A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.55583 |
 | GSIB2540-E3/45 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 400伏 整流平均值 (Io): 3.5 A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.94599 |
 | GSIB1580N-M3/45 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 800 V 整流平均值 (Io): 15A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.53943 |
GSID150A120S3B1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，GSID150A120S3B1 由 赛米奇公司 (SemiQ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GSID150A120S3B1价格参考￥614.279403，你可以下载 GSID150A120S3B1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GSID150A120S3B1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
赛米奇公司 (SemiQ)
SemiQ设计、开发和制造碳化硅（SiC）功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式，也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识，包括子系统设计...
