9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的FS50R17KE3B17BOSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FS50R17KE3B17BOSA1参考价格100.17000美元。Infineon Technologies FS50R17KE3B17BOSA1封装/规格：FS50R17-IGBT模块。您可以下载FS50R17KE3B17BOSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FS50R17KE3_B17，带引脚细节，包括IGBT硅模块产品，设计用于托盘包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺钉，提供模块等封装外壳功能，配置设计用于IGBT逆变器，以及345 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+125 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件提供1.7 kV集电极-发射极电压VCEO Max，该器件具有2 V集电极-发射器饱和电压，25℃时的连续集电极电流为82 a，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FS50R12W2T4_B11带有用户指南，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于335 W Pd功耗，安装方式如数据表注释所示，用于螺钉，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，以及+/-20 V最大栅极发射极电压，该器件也可以用作100nA栅极发射极漏电流。此外，25℃时的连续集电极电流为83 A，该设备的集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，该设备具有2.15 V的集电极/发射极饱和电压。
FS50R12W2T4是英飞凌制造的IGBT模块IGBT 1200V 50A。FS50R12W2T4采用模块封装，是模块的一部分，支持IGBT模块IGBT 1200V 50A。
FS50R17KE3-B17，带有Infineon制造的EDA/CAD模型。FS50R17KE3-B17在模块包中提供，是模块的一部分。
