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APT200GN60JDQ4G

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • IGBT型 场终止沟道
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 参数配置 单个的
  • 集电极最大截止电流 50 A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 同位素
  • 包装/外壳 同位素
  • 最大集电极电流 (Ic) 283 A
  • 最大功率 682 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.85V@15V,200A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 14.1 nF @ 25 V
  • 制造厂商
  • 部件状态 Digi-Key停产

APT200GN60JDQ4G 产品详情

[美高森美]

关于Microsemi
Microsemi Corporation(Nasdaq:MSC)为通信、国防和安全、航空航天和工业市场提供全面的半导体和系统解决方案组合。产品包括高性能、抗辐射和高可靠性的模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC和ASIC;电源管理产品;定时和语音处理设备;射频解决方案;离散分量;安全技术和可扩展的防篡改产品;以太网IC和中跨供电;以及定制设计功能和服务。
Microsemi总部位于加利福尼亚州的Aliso Viejo,在全球拥有约3000名员工。了解更多信息,请访问www.microsoft.com网站.

Microsemi的IGBT
Microsemi的IGBT产品为各种高电压、高功率应用提供了高质量的解决方案。开关频率范围从最小传导损耗的DC到极高功率密度SMPS应用的100kHz以上。每种产品类型的频率范围如下图所示。每种IGBT产品都代表了最新的IGBT技术,为目标应用提供了最佳的性能/成本组合。有六个产品系列使用三种不同的IGBT技术:非穿透式(NPT)、穿透式(PT)和现场停止。

APT200GN60JDQ4G所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,APT200GN60JDQ4G 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。APT200GN60JDQ4G价格参考¥1659.704661,你可以下载 APT200GN60JDQ4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APT200GN60JDQ4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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