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APT75F50L是MOSFET N-CH 500V 75A TO-264，包括0.352740 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-264中，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.04 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为39 ns，器件的上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为75 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为290nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
APT75GN120B2G是IGBT 1200V 200A 833W TMAX，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于800V、75V、1欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如60ns/620ns，开关能量设计为在8045μJ（开）、7640μJ（关）下工作，以及833W Power Max，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-247-3变体，该器件为通孔安装型，该器件具有输入型标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为425nC，集电器脉冲Icm为225A，集电器Ic最大值为200A。
APT75GN120B2是由APT制造的IGBT 1200V 200A 833W TMAX。APT75GN220B2采用TO-247-3变体封装，是IGBT的一部分-单体，支持IGBT 1200V 200 A 833W TMAX。
