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MIO1200-25E10是MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10,包括E10封装盒,它们设计为与底盘安装安装型一起工作,E10中使用的供应商设备封装如数据表注释所示,提供标准等输入功能,配置设计为在单开关中工作,以及1200A电流收集器Ic Max,该器件还可以用作2500V电压收集器-发射器击穿最大值。此外,电流收集器截止最大值为120mA,该器件为NPT IGBT类型,该器件在最大Vge Ic上具有2.5V@15V、1200A的Vce,输入电容Cies Vce为186nF@25V,NTC热敏电阻为No。
MIO1200-33E10是MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10,包括3300V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在3.1V@15V、1200A Vce on Max Vge Ic下工作。E10中使用的供应商设备包如数据表说明所示,提供E10等包壳功能,该器件也可以用作187nF@25V输入电容Cies Vce。此外,输入是标准的,该设备采用NPT IGBT类型,该设备具有1200A的电流收集器Ic Max,电流收集器截止最大值为120mA,配置为单开关。
MIO 600-65E11是MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11,包括单开关配置,它们设计用于120mA电流收集器最大截止电流,电流收集器Ic最大值如数据表注释所示,用于600A,提供IGBT类型功能,如NPT,输入设计用于标准,以及150nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用E11封装,该器件具有E11供应商器件封装,最大Vge Ic上的Vce为4.2V@15V,600A,集电极-发射极击穿最大值为6500V。