9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT50GS60BRDQ2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT50GS60BRDQ2G参考价格为11.55000美元。Microchip Technology APT50GS60BRDQ2G封装/规格：IGBT 600V 93A 415W TO247。您可以下载APT50GS60BRDQ2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APT50GR120L是IGBT 1200V 117A 694W TO264，包括管封装，它们设计为与to-264-3、to-264AA封装盒一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-264中工作，以及694W最大功率，该器件还可以用作117A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有200A集流脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为3.2V@15V，50A，开关能量为2.14mJ（开），1.48mJ（关），栅极电荷为445nC，25°C时的Td为28ns/237ns，测试条件为600V、50A、4.3欧姆、15V。
APT50GS60BRDLG是IGBT 600V 93A 415W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以3.15V@15V、50A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、50A、4.7 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如16ns/225ns，开关能量设计为在755μJ（关断）下工作，除了TO-247供应商器件封装外，该器件还可以用作415W最大功率。此外，封装为Tube，器件在TO-247-3封装盒中提供，该器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为235nC，集电器脉冲Icm为195A，集电体Ic最大值为93A。
APT50GR120JD30带有电路图，包括单配置，它们设计为在1.1mA电流收集器截止最大值下工作，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于84A，提供IGBT类型功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及5.55nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SOT-227-4封装盒，该器件具有大容量封装，最大功率为417W，供应商器件封装为SOT-227，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
