描述:高速电源开关
RJP30E4晶体管,B1JBEN000002晶体管
1.漏极-源极电压(VCES):360 V
2.集电极电流(IC);40安培
3.集电极脉冲电流(IC(峰值)):250A
4.栅极-发射极电压(VGES):+-30V
5.功耗(PD):30 W
起订量: 116
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
116+ | 18.75911 | 2176.05687 |
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描述:高速电源开关
RJP30E4晶体管,B1JBEN000002晶体管
1.漏极-源极电压(VCES):360 V
2.集电极电流(IC);40安培
3.集电极脉冲电流(IC(峰值)):250A
4.栅极-发射极电压(VGES):+-30V
5.功耗(PD):30 W
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...