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FGA50T65SHD

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 319瓦 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.13431 8.13431
10+ 7.93463 79.34633
30+ 7.79801 233.94030
100+ 7.30406 730.40660
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  • 单价: ¥8.13431
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.13
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 最大整流电流 (Icm) 150 A
  • 门电荷 87 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 100 A
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 50A
  • 试验条件 400V, 50A, 6欧姆, 15V
  • 最大功率 319瓦
  • 开关能量 1.28mJ(开),384J(关闭)
  • 开通/关断延时 (25°C) 22.4ns/73.6ns
  • 反向恢复时长 (trr) 34.6 ns

FGA50T65SHD 产品详情

Fairchild的新系列场停式第三代IGBT采用新型场停式IGBT技术,为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能,其中低传导和开关损耗至关重要。

特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 正温度系数,便于并联操作
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat)=1.6 V(典型值)@IC=50 A
  • 100%的部件经过ILM测试(1)
  • 高输入阻抗
  • 快速切换
  • 拧紧参数分布
  • 符合RoHS
FGA50T65SHD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),FGA50T65SHD 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FGA50T65SHD价格参考¥8.134313,你可以下载 FGA50T65SHD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FGA50T65SHD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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