9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJP2557DPK-E，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJP2557DPK-E价格参考2.38000美元。Renesas Electronics America Inc RJP2557DPK-E封装/规格：高速IGBT，270V，50A。您可以下载RJP2557DPK-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RJP020N06T100是MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89，包括RJP020N6系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-243AA，以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商器件封装的MPT3，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为160pF@110V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为240mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@4V，Pd功耗为2W，下降时间为20ns，上升时间为18ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为210mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
RJP020N06-W，带有ROHM制造的用户指南。RJP020N06-W采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
RJP2557，带有RENESAS制造的电路图。RJP2557采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
RJP2557DPK，带有RENESAS制造的EDA/CAD模型。RJP2557DPK采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
