9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT50GT60BRG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APT50GT60BRG参考价格$6.96000。Microchip Technology APT50GT60BRG封装/规格:IGBT 600V 110A 446W TO247。您可以下载APT50GT60BRG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如APT50GT60BRG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
APT50GT60BRDQ2G是IGBT 600V 110A 446W TO247,包括Thunderbolt IGBTR系列,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,用于1.340411盎司,具有通孔等安装方式特征,商品名设计用于ThunderboltIGBT,以及to-247-3包装箱,该设备也可以用作标准输入类型。此外,安装类型为通孔,该设备在TO-247[B]供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,功率最大值为446W,反向恢复时间trr为22ns,集电器Ic最大值为110A,集电器发射极击穿最大值为600V,IGBT类型为NPT,集电器脉冲Icm为150A,最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V,50A,开关能量为995μJ(开),1070μJ(关),栅极电荷为240nC,25°C下的Td为14ns/240ns,测试条件为400V,50A、5 Ohm,15V,Pd功耗为446W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为600V,集电极-发射器饱和电压为2V,25℃时的连续集电极电流为110A,栅极-发射极漏电流为120nA,最大栅极-发射极电压为30V,连续集电极电压Ic Max为110A。
APT50GT60BR带有APT制造的用户指南。APT50GT60BR可提供TO-3P封装,是IGBT-单体的一部分。
APT50GT60BRDQ1G,带有APT制造的电路图。APT50GT60BRDQ1G采用TO-247封装,是IC芯片的一部分。