9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FGH75T65SHDTL4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FGH75T65SHDTL4参考价格为7.39000美元。onsemi FGH75T65SHDTL4封装/规格：IGBT现场停止650V 150A TO247。您可以下载FGH75T65SHDTL4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FGH75T65SHDT_F155带有引脚细节，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于SiC，以及标准输入类型，该设备也可用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为455W，反向恢复时间trr为76ns，集电器Ic最大值为150A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为225A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，开关能量为3mJ（开），750μJ（关），栅极电荷为123nC，25°C时的Td为28ns/86ns，测试条件为400V，75A，3欧姆，15V，Pd功耗为455W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极-发射极饱和电压为1.6V，25℃时的连续集电极电流为150A，栅极-发射极漏电流为+/-400nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为75A。
FGH75T65SHD_F155带有用户指南，包括650V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供400V、75A、3 Ohm、15V、Td等测试条件功能。25°C设计为在28ns/80ns下工作，以及2.4mJ（开启），720μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247供应商装置包。此外，反向恢复时间trr为43.4ns，该器件提供455W最大功率，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为123nC，集流器脉冲Icm为225A，集流器Ic Max为150A。
FGH75T65SHD是FSC制造的IGBT 650V 150A 455W TO-247。FGH75T65SHD采用TO-247-3封装，是IGBT的一部分-单个，支持IGBT 650V 150A 455W TO-247。
