9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75GN120LG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75GN120LG参考价格为15.04000美元。微芯片技术APT75GN120LG封装/规格：IGBT 1200V 200A 833W TO264。您可以下载APT75GN120LG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75GN120JDQ3是IGBT 1200V 124A 379W SOT227，包括散装封装，它们设计用于1.058219盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如ISOTOP，安装类型设计用于底盘安装，以及ISOTOPR供应商设备封装，该设备也可以用作标准输入。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为379W，该设备具有124A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，电流收集器截止最大值为200μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为4.8nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为379W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为124 A，栅极-发射极漏电流为600 nA，最大栅极-发射极电压为30 V，且连续集电极电流Ic-Max为124A。
APT75GN120JDQ3G带有用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，数据表说明中显示了用于ISOTOPR的供应商设备包，提供功率最大值功能，如379W，包壳设计为在ISOTOP中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.8nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为124A，集电器截止值最大值为200μa，配置为单一。
APT75GN120L是由APT制造的IGBT 1200V 200A 833W TO264。APT75GN220L以TO-264-3、TO-264AA封装形式提供，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT 1200V 200 A 833W TO 264。
