BiMOSFET是一种器件,具有MOSFET和IGBT的综合优势。非外延结构和新的制造工艺被用于使BiMOSFET获得巨大成功。由于其饱和电压和本征二极管的正向压降的正电压温度系数,这些高压器件非常适合并联操作。此外,该“自由”本征体二极管充当保护二极管,在设备关闭期间为感应负载电流提供替代路径,防止高Ldi/dt电压瞬变对设备造成损坏。
特色
- “自由”本征体二极管
- 高功率密度
- 高频操作
- 低传导损耗
- 为简化驱动,MOS栅极开启
- 4000V电气隔离
- 低栅极驱动要求
- 节省空间(消除了多个串联并联的低电压、低电流额定设备)
- 易于安装
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源(UPS)
- 激光和X射线发生器
- 电容器放电电路
- 高压脉冲发生器电路
- 高压试验设备
- 交流开关