高速650 V,8 A硬开关TRENCHSTOPTM IGBT5与RAPID 1快速和软反并联二极管一起封装在TO-247封装中,被定义为“同类最佳”IGBT。
特色
- 650 V击穿电压
- 与同类最佳的HighSpeed 3系列相比
- 系数2.5较低Qg
- 因素2开关损耗的减少
- VCEsat降低200mV
- 与Rapid Si二极管技术共封装
- 低COES/EOSS
- 温和正温度系数VCEsat
- Vf的温度稳定性
- 一流的效率,可降低结温和外壳温度,从而提高器件可靠性
- 在不影响可靠性的情况下,母线电压可能增加50 V
- 更高的功率密度设计
应用
潜在应用