通过最先进的GenX3制造™ IGBT工艺和极轻穿通(XPT™) 这些器件具有高电流处理能力、高速开关能力、低总能量损耗和低电流下降时间。它们具有正的集电极-发射极电压温度系数,使得设计者可以并行使用多个器件来满足高电流要求。它们的低栅极电荷也有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。除了雪崩额定值外,这些器件还具有方形反向偏置安全工作区(RBSOA),最高可达击穿电压,这是无缓冲硬开关应用中的必要坚固性。
特色
- 针对20kHz-60kHz开关进行了优化
- 方形RBSOA
- 短路能力
- 雪崩等级
- 超快反并联二极管
- 国际标准包
- 硬交换能力
- 高功率密度
- 低栅极驱动要求
应用
- 蓄电池充电器
- 电动自行车
- 灯镇流器
- 功率逆变器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 开关模式电源
- 不间断电源(UPS)
- 焊接机