高速600 V，20 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO263 D2PAK封装中的续流二极管共同封装，提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为，导致低关断损耗。
特色
- 低开关损耗，实现高效率
- 卓越的VCE（sat）性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
- 具有低EMI发射的快速开关行为
- 针对目标应用的优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善
- 可以选择低栅极电阻（低至5Ω），同时保持良好的开关性能
- 短路能力5µs
- 提供175°C的Tvj（最大值）
- 带和不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
- 低开关和传导损耗
- EMI性能非常好
- 可与小栅极电阻器一起使用，以减少延迟时间和电压过冲
- 高电流密度
- 一流的600 V IGBT效率和EMI性能
应用
- 工业加热和焊接
- 太阳能系统解决方案
- 不间断电源（UPS）
