高速600 V,20 A单TRENCHSTOP™ TO220封装中的IGBT3提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为,导致低关断损耗。
特色
- 低开关损耗,实现高效率
- 卓越的Vce(sat)性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
- 具有低EMI发射的快速开关行为
- 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
- 可以选择低栅极电阻(低至5Ω),同时保持良好的开关性能
- 短路能力5µs
- 提供175°C的Tj(最大值)
- 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
- 低开关和传导损耗
- EMI性能非常好
- 可与小栅极电阻器一起使用,以减少延迟时间和电压过冲
- 高电流密度
- 一流的600 V IGBT效率和EMI性能
应用
潜在应用